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NTGS3441, NVGS3441
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
1200
V DS = 0 V
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
8
C iss
900
6
QT
600
C rss
4
300
C iss
C oss
C rss
2
Q gs
Q gd
V DD = ? 20 V
I D = ? 3.3 A
T J = 25 ° C
0
8
4
0
4
8
12
16
20
0
0
2
4
6
8
? V GS
? V DS
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE
VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
Figure 8. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage vs. Total Charge
1.3
1.2
I D = ? 250 m A
10
8
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
1.1
1
0.9
0.8
0.7
6
4
2
0.6
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
0
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
1.3
1.4
T J, JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 9. Gate Threshold Voltage Variation
with Temperature
http://onsemi.com
4
? V SD, SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
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